两大存储器巨头的较量:长江存储在美起诉美光侵犯8项专利
11月11日,美国加利福尼亚北区法院公布的信息显示,长江存储已于11月9日起诉美光科技有限公司(下称“美光”)及全资子公司美光消费产品集团有限责任公司侵犯其8项美国专利。长江存储在专利侵权起诉书中称,美光涉嫌侵犯了公司的多项3D NAND技术专利,并用于旗下的固态硬盘产品中;诉讼是为了终止美光广泛且未经授权使用长江存储专利创新。
长江存储:美光侵犯8项专利
长江存储在起诉书中指出,美光使用长江存储的专利技术,以抵御来自长江存储的竞争,并获得和保护其市场份额,同时还试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash(闪存)市场来阻止竞争和创新。长江存储还指控称,美光在自己的专利文件中引用了长江存储相关专利,证明美光了解长江存储的专利组合非常重要,但美光并未采取任何实际行动寻求获取长江存储专利授权。
长江存储指控美光侵犯了自己的8项美国专利,分别为:US10,950,623(3D NAND存储器件及其形成方法)、US11,501,822(非易失性存储装置及控制方法)、US10,658,378(三维存储器件的直通阵列接触 (TAC))、US10,937,806 (三维存储器件的直通阵列接触 (TAC))、US10,861,872(三维存储器件及其形成方法) 、US11,468,957(NAND存储器操作的体系结构和方法)、US11,600,342(三维闪存的读取方法)、US10,868,031(多层堆叠三维存储器件及其制造方法)。
此外,长江存储称,美光的96层、128层、176层、232层3D NAND存储器包含的技术方案均落入了长江存储专利权的保护范围,并被使用于美光旗下固态硬盘中。长江存储诉称,法院应禁止美光的持续侵权行为并追究责任,且由美光就损失和诉讼费用进行赔偿。
两大技术巨头的较量
长江存储科技有限责任公司官方网站显示,公司成立于2016年7月,总部位于武汉, 是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业,同时也提供完整的存储器解决方案。长江存储为全球合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒, 嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案,广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心。由于采用了自研的Xtacking(晶栈)架构,长江存储在技术上已经追上国外巨头,在NAND领域,长江存储2021年就量产了128层3D堆叠产品,232层产品亦开始上量。
美光是美国存储芯片龙头公司,与长江存储在NAND市场是竞争对手,据集邦咨询数据,2023年二季度的NAND市场,美光市场份额为13%,排名第五。在市场体量上,长江存储与美光差距较大。
存储产品主要分为DRAM(动态随机存储)和NAND(闪存)两类,前者属于易失性存储器,即一旦断电存储资料立刻流失,一般被用作内存辅助CPU(中央处理器)进行计算;后者为非易失性存储器,用于存储资料,用于制造固态硬盘。
据了解,芯片技术复杂性、多元化特性突出,在半导体行业因专利侵权而大打官司的情况也不少见。长江存储和美光在存储芯片方面都拥有不少专利,双方在专利使用上可能存在交叉。
主编精选,篇篇重磅,请点击订阅“邮件订阅”