英伟达供应商美光科技公司表示，过去一个季度内存芯片短缺的情况有所加剧，并重申由于人工智能基础设施所需的高端半导体需求激增，这种短缺状况将持续到今年以后。

“我们目前面临的短缺情况确实是前所未有的，”美光公司运营执行副总裁马尼什·巴蒂亚上周五在纽约州锡拉丘兹郊外举行价值1000亿美元的生产基地奠基仪式后表示，这与该公司在去年12月份做出的类似预测相呼应。

巴蒂亚表示，制造人工智能加速器所需的高带宽内存“消耗了整个行业大量的可用容量，导致传统行业（如手机或个人电脑）的内存严重短缺”。

他还补充说，个人电脑和智能手机制造商也纷纷加入争夺2026年后内存芯片垄断权的行列，而自动驾驶汽车和人形机器人将进一步推动对这些组件的需求。

上周五，美光股价收盘暴涨7.76%，报362.75美元/股，再创历史新高，总市值达到4083亿美元。

上周五，中国媒体报道称，由于内存成本上涨，包括小米、OPPO和深圳传音控股在内的多家中国主要智能手机厂商正在下调2026年的出货量目标，其中OPPO的下调幅度高达20%。

行业研究机构Counterpoint Research在去年12月估计，由于内存芯片短缺导致成本上升和产能受限，今年全球智能手机出货量可能下降2.1%。包括戴尔科技公司在内的PC制造商也警告称，他们可能受到持续短缺的影响。

受人工智能热潮的推动，全球存储芯片行业的三大巨头——美光科技、SK海力士和三星电子——的股价在2025年大幅上涨。SK海力士表示，其2026年的所有芯片订单均已售罄，而美光科技也表示，其人工智能存储半导体今年的订单也已全部预订完毕。

为了优先供应包括英伟达在内的战略企业客户，美光科技在去年12月宣布将终止其广受欢迎的Crucial品牌消费级内存业务。人工智能行业对内存芯片的巨大需求也加速了美光科技在美国和亚洲的生产扩张。

上周六，美光宣布计划斥资18亿美元买下其台湾现有工厂的土地，该工厂是美光公司的重要生产中心。

此举将大大缩短美光新工厂的投产时间。美光表示，将于2027年下半年开始大规模生产DRAM晶圆。

DRAM为英伟达和英特尔公司的复杂处理器提供运行环境，使其能够进行计算，并且是AI加速器高效运行所需的高带宽内存的核心。

巴蒂亚在上周五的采访中表示：“我们在亚洲的各个分支机构将继续向下一代技术过渡。”

他还补充说，另一方面，新增的晶圆产能几乎全部将在美国实现。

美光公司在锡拉丘兹附近投资1000亿美元的项目计划建设四座DRAM晶圆厂，每座晶圆厂的面积大约相当于10个足球场。首批晶圆将于2030年下线。

美光同时正在博伊西市新增两座晶圆厂的产能，以配合当地现有的研发设施。第一座位于爱达荷州的晶圆厂计划于2027年投产，第二座晶圆厂也正在规划建设中。此外，该公司还在对位于弗吉尼亚州的一座现有制造工厂进行现代化改造和扩建。

这些计划都是该公司致力于将40%的DRAM制造转移到美国本土的承诺的一部分，这一目标得益于该公司在2024年获得的62亿美元的芯片法案拨款，以及在建设期间享受目前35%的税收抵免。

主编精选，篇篇重磅，请点击订阅“邮件订阅”