|
+
订阅
获得美国豁免后，三星将升级其中国NAND芯片厂
更新于2023-10-16 17:48
北美商业电讯
据国媒体BusinessKorea周一报道，三星电子决定将其西安NAND闪存工厂过渡到200层NAND工艺。
此前，美国同意韩国芯片商三星电子和SK海力士向其位于中国的工厂提供设备，无需其它许可。
报道援引业内消息人士的话称，三星高管已批准三星西安NAND工厂的工艺升级，并已开始相关工作。
据称三星已开始为此采购最新的半导体设备，新设备预计将在2023年底交付。
西安工厂是三星唯一的海外存储半导体生产基地，该公司计划2024年在西安工厂陆续引进可生产236层（第8代）NAND的设备。
主编精选，篇篇重磅，请点击订阅“邮件订阅”
评论